Соединения типа А2В6




Соединения A BVI . Общие свойства. - часть 3


Это вза­имодействие эффективно только при высоких тем­пературах, т. е. в услови­ях, когда все создаваемые дефекты ионизированы. Концентрация ионизиро­ванных дефектов, созда­ваемых в кристалле, вза­имодействующем с паро­вой фазой, где парциаль­ное давление паров.

Если в кристалле образуются вакансии электроположитель­ного элемента М, способные к m-кратной ионизации (при тем­пературе синтеза кристалла), то этот процесс можно описать квазихимическим уравнением:

Мм*«Vм+mh + М(г).            .       (10.6)

Применяя закон действия масс, находим

[Vмm] pmPм = KVm = KvKa,..Kam,

где     

 KVm —  константа  равновесия  реакции  образования нейтральных вакансий;

KvKa,..Kam, — константы   равновесий    реакций,   описываю­щих    последовательные     этапы    ионизации образовавшихся вакансий, которые характе­ризуются энергиями ионизации ЕП1, Еа„ Еа т

Если энергия образования вакансий больше энергии, выигры­ваемой при захвате электрона вакансий, то электропроводность определяется условием  

п = p = Klm/'2,  а  общая   концентрация ва­кансий

[Vм]общ =[Vмm]= KVm = KVKvKa,..Kam,./ Klm/'2

Если энергия образования вакансии меньше энергии, выигры­ваемой при захвате электрона вакансий (Е2— Е4>Нv), то электропроводность определяется условием p = m[Vмm], а общая концентрация вакансии:

[Vм]общ =[Vмm]  = (KVKvKa,..Kam,./mmPM)1/m+1.        (1.8)

С учетом известных экспериментальных данных, а также со­гласно изложенному дырочную электропроводность ZnTe можно объяснять как результат двукратной ионизации вакансий Vzn". Отсюда следует, что общая концентрация дефектов данного типа зависит от их энергии ионизации: при малой энергии ионизации возрастает и общее число дефектов данного вида и число дефек­тов, ионизированных при температуре измерения. Повышение общей концентрации дефектов при их многократной ионизации энергетически выгодно, несмотря на затрату энергии на после­довательные процессы ионизации, ввиду того что энтропия кри­сталла возрастает с увеличением числа свободных носителей.


Содержание  Назад  Вперед