Соединения типа А2В6




Соединения A BVI . Общие свойства. - часть 2


Среди теллуридов теллурид цинка всегда обладает дырочной электропроводностью, а теллуриды кадмия и ртути могут быть получены как n-, так и p-типа, в зависимости от условий изготовления.

Причины,  обусловливающие   преимущественное проявление   того или иного  типа электропроводности.  Величина проводимости всех чистых соединений   АIIВVI может быть значительно измене­на  (на   несколько   поряд­ков)     путем     термообра­ботки    монокристаллов   в парах    компонентов.   Это свидетельствует о том, что все соединения АIIВVI яв­ляются    нестехиометрическими, с  довольно   широ­кой   областью    существо­вания       тетраэдрической фазы.

Электропроводность чистых   и    легированных соединении    определяется тремя факторами:

1) появлением в ре­шетке кристалла донорных или акцепторных цен­тров;2) ионизацией создан­ных центров;

3) подвижностью но­сителей заряда.

Учет этих факторов не­обходим, чтобы найти объяснение неизменности типа электропроводности в одних случаях и управ­ляемости типом и величи­ной проводимости в дру­гих.

Совершенно   очевидно, что   если   в   материал   не удается ввести   акцептор­ные   центры,   а   донорные центры легко образуются, то материал будет n-типа. Возможен  также  случай, когда материал содержит акцепторные    центры,   но их     энергия     ионизации столь велика,   что   акцеп­торные свойства не прояв­ляются.

Стехиометрический состав может соответствовать одной из границ области существования соединения. Тогда, очевидно, от­клонение от стехиометрии может быть обусловлено возникнове­нием точечных дефектов только одного типа с донорными или акцепторными свойствами (рис 1..8).

Если же отклонения от стехиометрического состава возмож­ны в обе стороны, то преимущественное возникновение дефек­тов с донорными или акцепторными свойствами будет опреде­ляться величиной энтальпии образования донорных и акцептор­ных центров. Точечные дефекты, обусловливающие отклонения от стехиометрии, возника­ют в результате взаимо­действия кристалла с внешней средой.


Содержание  Назад  Вперед