p-i-n-ФОТОДИОДЫ




Улучшение характеристик фотодиодов.


Уменьшив степень легирования слоя N-типа, можно увели­чить ширину слоя объемного заряда при том же рабочем на­пряжении. В пределе мы получаем беспримесный материал с собственной проводимостью (обозначаемый буквой /), к кото­рому добавляется слой материала N-типа с малым удельным сопротивлением для обеспечения омического контакта. Такова структура PIN, обеспечивающая квантовый выход, близкий к единице, и очень высокую чувствительность.

Можно также повысить напряжение на фотодиоде до уровня, при котором возможно лавинное усиление. Тогда ширина обедненного слоя будет определяться внешним напряжением и удельным сопротивлением материала (при постоянном напря­жении величина е пропорциональна корню квадратному из удельного сопротивления материала). Кроме того, чем больше ширина обедненного слоя, тем меньше емкость р — n перехода и тем меньше постоянная времени фотодиода.

 Основные характеристики фотодиодов  2.

 




Содержание  Назад  Вперед