p-i-n-ФОТОДИОДЫ

9a9d8c67

 Поглощение излучения


 

Поглощение  света   в  веществе  описывается  экспоненциаль­ным законом :

 Поглощение излучения

Параметр а называется показателем поглощения вещества. Об­ратная  ему  величина  имеет  размерность длины  и  равна  тол

 Поглощение излучения

щине вещества, при которой световой поток ослабляется в е раз, где е — основание натуральных логарифмов. Это соответствует поглощению около 63% излучения, падающего на вещество. По­казатель поглощения а очень сильно зависит от длины волны l, т. е. от энергии падающих фотонов и, значит, от их способ­ности переводить электроны в валентную зону. Из приведен­ных на рис. 13.2 зависимостей показателя поглощения от длины волны следует, что свет создает заметный фототок только в определенной спектральной области, резко ограниченной с од­ной стороны критической длиной волны lс, которая соответ­ствует минимальной энергии кванта, необходимой для преодо­ления запрещенной зоны AW вещества. Критическая длина вол­ны дается формулой

 Поглощение излучения

 Поглощение излучения

где h — постоянная Планка. Если энергию выразить в электрон-вольтах, а длину волны в

микрометрах, то эта формула прини­мает вид

 Поглощение излучения

Величины AW и lс для ряда используемых на практике по­лупроводниковых материалов приведены в табл. 13.1, которая служит дополнением к табл. 12.1.

 Поглощение излучения

Другая граница фоточувствительности, со стороны коротких длин волн, обусловлена очень сильным поглощением излучения вблизи поверхности образца полупроводника, где очень мало время жизни носителей тока до их рекомбинации.



Содержание раздела