p-i-n-ФОТОДИОДЫ



Дешевые готовые беседки навесы купить бу. |

P-i-n-ФОТОДИОДЫ - часть 3


где vs — скорость насыщенного дрейфа.

Наибольшее распространение в оптической электронике полу­чили p-i-n фотодиоды, изготовленные на основе высокоомного кремния n-типа. Типичная конструкция кремниевого p-i-n-фотoдиода приведена на рис. 11.16, а. Отметим, что эти диоды просты по своей структуре, обладают хорошей линейностью в широком динамическом диапазоне от десятков пиковатт до десятков мил­ливатт. Они просты в эксплуатации и дешевы. Их спектр фоточу­вствительности хорошо согласуется со спектром излучения GaAs-лазеров. Все это, вместе взятое, определило широкое ис­пользование p-i-n-фотодиодов в оптической электронике для де­тектирования оптических сигналов, модулированных частотами до гигагерцового диапазона.

Естественно, что для реализации возможностей фотодиода как фотоприемника слабых оптических сигналов его электричес­кие параметры должны быть согласованы с параметрами схемы, обеспечивающей дальнейшее усиление и регистрацию сигнала. Освещаемый фотодиод эквивалентен генератору тока. В простей­шей схеме включения, изображенной на рис. 11.16, б, с нагрузоч­ного сопротивления Rн снимается напряжение, пропорциональ­ное фототоку, которое подается на усилитель напряжения. От­ношение сигнала к шумовому току на входе будет тем больше, чем больше сопротивление Rн. В сочетании с полевым транзистором такая схема позволяет регистрировать световые мощ­ности на уровне десягков пиковатт. Напомним, что при больших Rн, инерционность приемного тракта может быть ограничена постоянной времени RC.

Вместо обычного усилителя напряжения может быть выбран стандартный операционный усилитель с большим коэффициен-




Содержание  Назад  Вперед